成年无码AV片在线免缓冲_国产精品美女久久久久网站浪潮_欧美极品少妇×XXxBBB_97人人模人人爽人人少妇_在线视+欧美+亚洲日本_真实处破女AV

當前位置:首頁   >    產(chǎn)品中心   >    介電常數(shù)介質損耗因數(shù)測試儀   >    介電常數(shù)測試儀GDAT-C   >   gdat-c介電常數(shù)介質損耗測試儀廠家銷售 產(chǎn)品展示

介電常數(shù)介質損耗測試儀廠家銷售

型 號gdat-c

更新時間2024-11-19

廠商性質生產(chǎn)廠家

報價

產(chǎn)品描述:它符合國標GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

產(chǎn)品概述

介電常數(shù)和介質損耗測試儀由Q表、測試裝置,電感器及標準介質樣品組成,能對絕緣材料進行高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

  介電常數(shù)和介質損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz~60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

  本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。同樣,由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計算得到介電常數(shù)。

1 特點:                            
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術,使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~60MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測試頻率,調諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz, 100kHz~160MHz 測試信號。獨立信號   源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。


2 主要技術指標:

2.1 tanδ和ε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~60MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍:tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz): tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

 

2.2 Q表

 

1

型號

10kHz-60MHz

100kHz-160MHz

2

工作頻率范圍

10kHz~60MHz

四位數(shù)顯,數(shù)字合成

精度:±50ppm

100kHz~160MHz

四位數(shù)顯,數(shù)字合成

精度:±50ppm

3

Q值測量范圍

1~1000

四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率

1~1000

四位數(shù)顯,±0.1Q分辨率

4

可調電容范圍

40~500 pF

ΔC±3pF

13~230 pF

5

電容測量誤差

±1%±1pF

±1%±0.5pF

6

Q表殘余電感值

約20nH

約8nH

 


 

2.3 介質損耗裝置:

2.3.1 平板電容器極片尺寸:
      916:Φ38mm和Φ50mm二種.
      914:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率: 0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性:  0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍: ±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距: 25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:  ≤2.5×10-4

 

2.4 電感器:
  按測試頻率要求,需要配置不同量的電感器。例如:在1MHz測試頻率時,要配250μH電感器,在50MHz測試頻率時,要配0.1μH電感器等。


2.5 高頻介質樣品(選購件):
  在現(xiàn)行高頻介質材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。該樣品由人工藍寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測試樣品。用戶可按需訂購,以保證測試裝置的重復性和準確性

 

它符合國標GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 

c類數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz~60MHz,是一種多功能、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,以電壓比值刻度Q值的。它能測量高頻電感器的Q值,電感量和分布電容量;電容器的電容量和損耗角。配以夾具BH916介質損耗裝置還能對固態(tài)絕緣材料的高頻介質損耗(tanδ)和介電常數(shù)(ε),高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等進行測試。本Q表依照國家計量檢定規(guī)程:“JJF1073-2000高頻Q表校準規(guī)范”執(zhí)行。

 

1 特點:
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值讀取技術,使測Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz,測試信號。
◎ 低至20nH殘余電感,保證高頻時直讀Q值的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測試頻率,調諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預置,能提高批量測試的可靠性和速度。

介電常數(shù)和介質損耗測試儀由Q表、測試裝置,電感器及標準介質樣品組成,能對絕緣材料進行高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

 介電常數(shù)和介質損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz~60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

  本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計算得到。同樣,由測微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化,通過公式計算得到介電常數(shù)。

1 特點:                            
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術,使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在100kHz~160MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測試頻率,調諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生10kHz~60MHz, 100kHz~160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。


2 主要技術指標:

2.1 tanδε性能:

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~60MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍:tanδ:   0.1~0.00005,ε:1~50

2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):  tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

 

2 主要技術指標:
2.1 測試信號頻率范圍:10kHz~60MHz,數(shù)字合成,可數(shù)字設置或連續(xù)調節(jié),五位有效數(shù)顯。
2.2 Q值測量范圍:1~1000四位數(shù)顯,分辨率0.1Q。分100、316、999三檔,量程可自動切換。
2.3 Q值固有誤差:±5%±3% 滿刻度值。
2.4 有效電感測量范圍:0.1µH~1000mH。
2.5 電感測量誤差:≤5%±0.02µH
2.6 調諧電容特性:
2.6.1可調電容范圍:40pF~500 pF。
2.6.2 精確度:±1% 或0.5pF。
2.6.3微調電容器:-3pF~0~+3pF,分辨率:0.2pF
2.6.4殘余電感值:約30nH。
2.7 Q預置功能:Q預置范圍:1~1000均可

BH916 介質損耗測試裝置(數(shù)顯)

   BH916介質損耗測試裝置與C類Q表及電感器配用,能對絕緣材料進行高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
  本測試裝置是由測微平板電容器組成,平板電容器一般用來夾被測樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)變化通過公式計算得到。同樣,由平板電容器的刻度讀數(shù)變化,通過公式計算得到介電常數(shù)。

1工作特性
1.1 平板電容器:
1.1.1 極片尺寸:
 c類-38:Φ38mm.
  c類-50:Φ50mm. 
1.1.2 極片間距可調范圍和分辨率:
  ≥8mm, ±0.002mm
1.2 夾具插頭間距:
  25mm±1mm
1.3夾具損耗角正切值
  ≤2.5×10-4

附表二,LKI-1電感組典型測試數(shù)據(jù)

線圈號 測試頻率         Q值   分布電容p     電感值
  9    100KHz          98     9.4          25mH
  8    400KHz         138    11.4        4.87mH
  7    400KHz         202    16          0.99mH
  6      1MHz         196    13          252μH
  5      2MHz         198     8.7       49.8μH
  4    4.5MHz         231      7          10μH
  3     12MHz         193     6.9       2.49μH
  2     12MHz         229     6.4      0.508μH
  1     25MHz 50MHz  233211   0.9      0.125μH

 

標簽:介電常數(shù)介質損耗測試儀 介電常數(shù)測試儀 介質損耗測試儀  介質損耗介電常數(shù)測試儀

 

留言框

  • 產(chǎn)品:

  • 您的單位:

  • 您的姓名:

  • 聯(lián)系電話:

  • 常用郵箱:

  • 省份:

  • 詳細地址:

  • 補充說明:

  • 驗證碼:

    請輸入計算結果(填寫阿拉伯數(shù)字),如:三加四=7
聯(lián)系人:陳丹
手機:
18911395947
點擊這里給我發(fā)消息